环栅（Gate-All-Around，GAA）是先进制程中取代鳍式（Fin）晶体管最有潜力的结构，针对环栅Si0.7Ge0.3 的内侧墙（Inner spacer）空腔刻蚀难以精确控制尺寸和形貌的问题，本研究基于常规电感耦合等离子体（Inductive Coupled Plasma，ICP）刻蚀设备，采用CF4/O2/He 混合气体进行Si0.7Ge0.3 干法各向同性选择性刻蚀实验，探究了包括激励射频源（source radio frequency，SRF）功率、气压、刻蚀前侧壁清洗工艺等因素对刻蚀结果的影响与机制。研究结果表明，SRF 对刻蚀深度的影响是存在线性区与准饱和区的，气压与刻蚀深度在实验区间内呈二次函数关系，稀释的氢氟酸（Diluted HF，DHF）与O3 交替清洗相对单一的DHF 清洗方案在界面钝化层的去除与刻蚀形貌的控制上有更优的表现。经工艺方案优化，最终获得良好的工艺结果：刻蚀精度达到了0.61 nm/s，最优粗糙度Rq 为0.101 nm，刻蚀轮廓矩形度高（d/t~83.3%）。本研究为内侧墙空腔刻蚀提供了一种解决方案。

李俊杰，工学博士，高级工程师，硕士生导师，入选中国科学院支撑技术人才，中国科学院特聘研究岗。长期从事与微电子技术相关的研发工作，先后参与或主持国家“02科技重大专项”，重点研发计划，中科院先导A，先导C，北京市科技计划项目等多项课题，专注于先导刻蚀工艺及纳米器件的研发，发表SCI论文100余篇，申请发明专利250余项。

团队简介

中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心是面向国家集成电路行业重大需求，按照工业界研发标准设计和建设，采用产业技术研发模式进行管理，并由国际化研发团队运作的国家级研发中心。先导中心拥有一条完整的8吋集成电路先导工艺研发线，并兼容硅基光子器件、硅基MEMS器件等集成技术研发。研发线具备10纳米电子束光刻的研发能力和180纳米光学光刻的量产技术。先导中心现有150名研发人员，其核心团队来自世界著名的集成电路研发机构，拥有超过10年的研发和科研管理经验。其工程师团队均有5年以上的工业界研发或生产经验，另有在读博士、硕士研究生100余人。