基于标准漏孔比对法的漏率测量装置

王魁波，罗艳，吴晓斌*

真空科学与技术学报，2022，第42卷，第7期,491-496页。

DOI:10. 13922 / j. cnki. cjvst.202112013

引用格式：K.Wang, Y.Luo,X.Wu,Leak Rate Measurement Device Based on Standard Leak Comparison Method, Chin. J. Vac. Sci. Tech, 42, 7,491-496(2022)

     

 

 

 

文章介绍

 

本文介绍了一种密封件的漏率测量装置，其极限真空可达10^-7 Pa量级，漏率测量范围为：10^-7 Pa.m³/s ~ 10^-14 Pa.m³/s，用于具有检漏接口的各类密封件的漏率测试，可广泛应用于空间环模设备、高能加速器、核辐射装置、等离子体物理装置、EUV光刻机等真空检漏领域。同时采用了一种比对漏率测量方法，用于评价密封件的密封性能，通过四极质谱仪比较标准漏孔和待测密封件流出气体产生的离子流，利用标准漏孔的已知漏率和四极质谱的线性响应外推，计算密封件的漏率，具体包括动态比对法和静态累积比对法。本文以测试不锈钢刀口密封件的漏率为例，展示了该漏率测量装置两种测试方法的实际应用，并与氦质谱检漏仪在大气下粗检的漏率相比较，给出了不锈钢刀口密封件性能的建议测试方法。

 

 

团队介绍

 

研究团队长期从事极紫外光刻和集成电路装备研究。先后承担科技部国家科技重大专项02专项5项、中科院先导专项1项和国家自然科学基金1项等多项重大项目。围绕DPP（放电等离子体）极紫外光源，开展了极紫外光学计量、极紫外掩模检测、极紫外光刻机整机环境控制等研究工作，建立了包括极紫外辐照损伤、极紫外反射率测量、极紫外掩模缺陷检测、高精度真空材料放气、极小浓度痕量气体检测、高精度流场控制等在内的国内唯一的极紫外光刻共性技术研究平台和极紫外光刻机模拟环境研究平台，初步构建了满足极紫外光刻机清洁真空要求的真空技术体系。

 

通讯作者简介

 

 

吴晓斌，中科院微电子所研究员，博士生导师。现任国家02专项光刻机工程指挥部专家、中国计量测试学会真空计量专业委员会副主任委员 、全国真空技术标准化技术委员会委员、中国真空学会质谱分析与检漏专委会委员、中国真空学会真空冶金专业委员会委员、《真空与低温》编委等职。

吴晓斌研究员长期从事极紫外光刻、光学检测和精密仪器等研究，在《Applied Material Science》、《Applied Optics》、《Journal of Vacuum Science & Technology B》、《Computers and Fluids》、《Measurement》、《真空科学与技术学报》和《质谱学报》等期刊发表论文30余篇，授权国际发明专利1项，授权国家发明专利30余项。

 

 

原文链接

 

 

 

 

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